化合物半導体研究室

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未来の半導体材料であるIII族窒化物半導体の材料からデバイスまでの研究開発を行っています。特に、大電流を制御できるパワーデバイス材料である窒化アルミニウム（AlN）において、窒素プラズマの使用をメインプロセスにした低温・低圧プロセスを用いて、材料育成から半導体デバイス製造までの開発を行っています。加えて、次世代太陽電池材料であるInAlN/Siによる高効率太陽電池セルの研究にも取り組んでいます。